삼성, 미세공정 전환으로 메모리 시장 점유율 확대

　 삼성전자가 지난 1분기께 D램·낸드 메모리 반도체 공정 기술 전환에 약 3500억원를 투자하는 등 올해 미세 공정 전환 투자 전략에 초점을 둔 절대 생산량 확대에 적극 나서기로 했다. 삼성은 이를 통해 올해 D램 약 5%포인트, 낸드메모리 약 3%포인트 시장 점유율을 올린다.

삼성전자는 올해 전체 D램 생산량에서 68나노 이하 제품 비중을 상반기 70% 선에서 하반기 90% 선으로 올려 메모리 제품의 원가 경쟁력을 한층 제고한다고 밝혔다. 이 회사는 또한, 51나노 이하 낸드 제품 비중도 상반기 80%대에서 하반기 90%대로 상향 조정하는 등 D램·낸드 메모리의 첨단 미세 공정 제품의 비중을 하반기 10∼20% 올리기로 했다.

이는 낸드 메모리 고정거래 가격이 공급 부족으로 상승세로 돌아선 데다 D램 고정거래가격도 완만한 회복세를 보일 것으로 예측됨에 따라 기술 공정 전환에 주력, 낸드메모리·D램 원가 경쟁력을 한층 높여 후발 주자와의 시장 점유 격차를 더욱 벌인다는 전략이다.

이에 따라 삼성전자는 현재 D램 생산 라인에서 68나노 이하 제품 비중을 2분기 75%에서 3분기엔 85% 이상 늘리기로 했다. 이 회사는 올해 56나노 기술을 2분기 내 주력 공정 기술로 본격 전환하는 한편 3분기엔 46 나노 제품도 양산할 계획이다. 특히 이 회사는 올 하반기 68 나노 이하 제품에서 56 나노 이하 제품 비중을 50% 이상 올려 원가 경쟁력이 처지는 80 나노 제품 비중을 10% 이하로 대폭 낮추기로 했다.

삼성전자는 이와 함께 5월 32 나노 낸드 제품도 양산하는 등 51 나노 이하 낸드 제품 생산 비중을 2분기 85%에서 3분기께 95% 이상 늘리기로 했다. 대신 63 나노 낸드 제품 비중은 하반기 5% 이하로 줄인다. 특히 이 회사는 3분기 41 나노 이하 낸드 제품 비중을 60% 이상 끌어 올려 41 나노 공정을 낸드의 주력공정으로 삼아 낸드 메모리 분야에서 시장 지배력을 한층 높일 계획이다.

삼성전자 관계자는 “올해 R&D 투자는 지속적으로 강화하되 설비 투자는 시황에 따라 탄력적으로 대응한다”며 ”올해 수율 제고·공정 기술 전환 등을 통해 메모리의 절대 생산량을 늘림으로써 연말께 D램은 30.2%에서 35%, 낸드는 42.1%에서 45% 시장 점유율을 가져간다”고 말했다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr