54나노 공정 대비 생산성 50% 향상
하이닉스반도체(대표 김종갑)는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 8일 밝혔다.
이번에 개발한 44나노 공정의 1Gb DDR3 D램은 현재 양산 중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품이다. 관련기사 10면
특히 ‘3차원 트랜지스터(실리콘 표면을 깎아내 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 트랜지스터) 기술’로 누설 전류를 제어, 전력 소비를 최소화하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다.
하이닉스는 44나노 1Gb DDR3 제품을 올 3분기에 양산하고 2010년부터는 2Gb 등 다양한 용량의 DDR3 제품을 대량 양산할 계획이다. 또 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화, 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램 등에 확대 적용키로 했다.
김지범 하이닉스 애플리케이션마케팅담당 전무는 “40나노급 공정으로 세계 최초로 DDR3 제품을 개발, 업계 최고 수준의 기술력을 다시 한번 확인하게 됐다”며 “향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정 기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도하겠다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
