삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다.
첨단 미세 공정 기술력 우위를 기반으로 후발 경쟁사와 격차를 더 벌릴 계획이다.
본지 1월 9일자 11면 참조
삼성전자는 세계 최초로 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발에 잇따라 성공했다고 4일 밝혔다.
삼성전자는 46나노 공정을 적용한 DDR2 제품에 대해 지난해 12월 인텔로부터 제품 채용 평가를 완료했으며 1월에는 1Gb DDR2 모듈 등 2종의 제품 채용 평가도 완료해 양산성을 입증했다.
삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가(Gb) DDR2 D램 개발 기술을 적용해 2기가 DDR3 D램 제품을 추가 개발, 이르면 9월께 양산할 계획이다.
삼성전자는 기존 56나노 D램 공정에서 46나노 D램 공정 전환을 계기로 최고 수준의 원가경쟁력을 확보해 DDR2·DDR3 시장에서 주도권을 이어간다는 계획이다. 하이닉스반도체가 올 6월 목표로 44나노 D램 공정 도입을 준비 중이며, 일본 엘피다, 미국 마이크론 등 D램 경쟁 기업이 50나노급 공정에 머물러 있는 틈을 타서 삼성전자는 40나노급 D램 조기 양산체계를 구축, 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보하기로 했다. 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축, 현재 불경기 시장 상황을 원가경쟁력 우위로 타개하겠다는 것이 삼성의 전략이다.
삼성전자 관계자는 “46나노 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2Gb DDR3 D램에 비해 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있다”면서 “50∼60나노급 D램을 양산하는 경쟁사와 제조경쟁력 격차를 1∼2년 이상 넓힐 수 있을 것”으로 내다봤다.
40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있다. 40나노급 D램에서는 1.2V 작동이 가능하기 때문이다. 50나노급 D램은 1.5 V에서 작동하는 데 비해 40나노급 D램은 1.2V로 약 30% 이상의 소비전력 감소 효과가 있다.
삼성전자는 “40나노급 D램 시장을 선점해 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론이고 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 대용량·고성능 제품을 선행 개발, 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지하겠다”고 밝혔다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
