삼성전자 “4기가비트 DDR3 D램 시대 개막”

삼성전자가 4기가비트(Gb) D램 시대를 열었다.

삼성전자는 29일 세계 처음으로 50나노급 공정을 적용한 4Gb DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다. 작년 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 처음 개발한 데 이어 5개월만에 2배 용량으로 기록을 갱신한 것이다.

4Gb DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(GB) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8GB UDIMM, 노트북용 8GB SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술(DDP:Double Die Package)을 적용하면 32GB 모듈 개발도 가능하다고 삼성전자는 설명했다.

이번에 개발된 D램은 50나노 공정과 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps의 데이터 처리 속도를 구현해 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약 20% 정도 성능이 향상됐다. 삼성전자는 4Gb DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 절감은 물론 전력 소비도 크게 줄일 수 있어 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다고 전했다. 4Gb D램을 탑재할 경우 1Gb D램을 적용할 때에 비해 전력 소비를 총 70%까지 줄일 수 있다.

이밖에 데이터 센터 등 많은 서버를 설치하는 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 전기료 감소는 물론 열 방출 장비나 전력 공급 설비의 설치·유지·보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 있다.

삼성전자 관계자는 “전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커지면 커질수록 더욱 확대되므로, 고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4Gb D램 수요는 더욱 증가할 것”이라며 “삼성전자는 앞으로 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발하는 한편 프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출, 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획”이라고 말했다.

서동규기자 dkseo@etnews.co.kr