디바이스/취재/알에프에이치아이씨, GaN 전력증폭기 군사레이더 부품으로 ‘각광’

　*사진설명: 알에프에이치아이씨가 생산하는 질화갈륨(GaN) 전력증폭기.

알에프에이치아이씨(대표 조삼열·조덕수)는 질화갈륨(GaN) 전력 증폭기를 토대로 군사용 레이더의 핵심부품 시장개척에 나선다고 7일 밝혔다. 질화갈륨 화합물 반도체는 광대역·고출력·고효율 특성으로 △전자교란시스템 확대 △통합 시스템 운용에 따른 주파수특성 변화에 안성맞춤이다.

회사 측은 그동안 이동·방송통신 시장에 주력해왔으나, 앞으로는 군사용 제품으로 사업 영역을 확장키로 했다. 특히 올해 GaN 전력증폭기 매출이 수억원 수준이지만 내년에는 전체 매출의 20%까지 차지할 것으로 내다봤다. 오는 2011년에는 매출의 60%가 군사용 제품에서 나올 것으로 기대했다.

조덕수 알에프에이치아이씨 사장은 “수입에 의존하던 레이더용 핵심 부품인 전력 증폭기를 국산화할 것”이라며 “올 들어 환율급등과 기술종속 문제가 제기되면서 방위산업체들의 의뢰가 활발하다”고 설명했다. 실제 지난달 20일 열린 제2회 군수용 초고주파 워크숍서에서 업계·학계 전문가들은 레이더용 부품 국산화 대상으로 알에프에이치아이씨의 GaN 전력증폭기를 지목했다. 최근 미국서도 제품에 대한 요구가 잇따를 정도로 해외에서도 이 회사의 실력은 널리 알려져 있다. 알에프에이치아이씨는 지난 1999년에 설립해 화합물반도체 기반 통신부품을 생산했다. 올해 지난해 대비 약 30% 성장한 매출 260억원 달성을 예측했다.

설성인기자 siseol@etnews.co.kr