플래시메모리와 D램 장점 결합한 `차세대 퓨전메모리(URAM)` 개발

　국내 연구진이 플래시메모리와 D램의 장점을 결합해 멀티칩패키지(MCP)를 대체할 수 있는 차세대 퓨전메모리(Unified RAM·U램)를 세계 최초로 개발했다.

　최양규 KAIST 교수팀과 나노종합팹센터는 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않는 플래시메모리와 작동속도가 빠르고 읽기와 쓰기가 자유로운 D램의 기능을 하나의 메모리 트랜지스터에 구현한 퓨전메모리 ‘U램’을 개발했다고 14일 밝혔다.

　기존의 퓨전메모리는 D램·플래시메모리·S램 등 서로 다른 칩을 차례로 쌓은 MCP 형태로, 이는 단품 여러 개를 사용할 때보다 차지하는 면적은 줄지만 제작 비용을 낮추는 데에는 한계가 있었다.

　연구팀은 D램과 플래시메모리 작동전압 영역이 서로 다르다는 점에 착안, 트랜지스터의 내부(플로팅 바디)에 전하를 모으고 지우는 과정을 통해 D램을 구현했으며, 플로팅바디에 게이트와 절연막 구조를 결합시키는 방식으로 U램을 개발했다.

　연구팀은 퓨전메모리 시장 점유율을 전체 반도체 시장의 5%로 가정할 때, 시장 규모가 2010년 150억달러, 2015년 204억달러에 달할 것으로 예상했다. 현재 연구팀은 U램과 관련한 국내특허 5건을 출원 신청했다.

　최 교수는 “U램은 디지털TV와 휴대형 정보기기의 다기능·고성능화에 대응할 수 있는 메모리로, 이번 개발은 반도체 메모리 분야의 원천기술과 실용성을 동시에 확보한 것”이라며 “특히 현재 사용되고 있는 표준 반도체 설계 및 공정기술을 그대로 이용할 수 있어, 개발기간 단축과 추가 비용투자 없이 제품 개발이 가능하다”고 말했다.

　 권건호기자 wingh1@