하이닉스반도체(대표 김종갑 www.hynix.co.kr)는 66 나노 기술을 적용한 세계 최고속 1Gb 모바일 저전력(LP)DDR2<사진>를 개발했다고 6일 밝혔다. 지난해 세계 최고속·최소형 1Gb 모바일 DDR 제품 개발 이후 8개월 만에 개발에 성공한 제품이다.
하이닉스는 세계 최초로 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하는 이 제품을 휴대폰 등 모바일 기기용으로 공급할 계획이다. 9㎜x12㎜의 소형 패키지화가 가능하다. 특히, 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능이 있어 기기에 맞춰 쓸 수 있다.
하이닉스는 4분기부터 양산, 1Gb 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선도해 나간다는 계획이다.
하이닉스 관계자는 “올해 수익성 1위 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획”이라며 “특히 모바일 D램의 경우 신제품 적기 개발 및 판매 강화로 현재 7% 정도인 시장 점유율을 3배 가까이 확대하는 게 목표”라고 밝혔다.
이와 함께 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품을 통해 칩셋 업체와 공동으로 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 선도해 나갈 계획이다.
주문정기자 mjjoo@
