하이닉스-삼성, 메모리 개발 손잡아

하이닉스와 삼성전자가 차세대 메모리개발에 공동으로 나선다.

하이닉스는 24일 한양대학교 종합기술원에서 산업자원부, 하이닉스반도체(대표 김종갑 http://hynix.co.kr), 삼성전자, 한양대학교 관계자들이 참석한 가운데 차세대 비휘발성 메모리 분야의 원천기술 공동개발 협약식을 가졌다.

하이닉스반도체와 삼성전자는 작년 말부터 시작된 산업자원부 추진의 “차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업”(사업단장 ; 박재근 한양대 교수) 2단계에 공동 참여해 왔으며, 이 날 행사를 통해서 다시 한번 차세대 메모리 분야의 원천기술 공동개발의 의지를 다졌다.

이번 협약에 따라 삼성전자와 하이닉스는 기존 6개의 사업단 비휘발성 메모리 과제뿐만 아니라, 차세대 메모리로 급부상하고 있는 STT램 공동개발에 협력하게 된다.

STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로 2012년부터 시장이 형성될 것으로 예상되고 있으며, 일본도 국가 R&D 과제로 2006년부터 산학연 개발을 진행 중이다.

박성욱 하이닉스 부사장은 “하이닉스는 그 동안 다양한 협력관계를 통해 핵심 경쟁력 강화를 시도해왔다. 차세대 메모리 개발을 위해 삼성전자 등과 협력하는 이번 프로젝트는 한국 반도체 업계의 새로운 가능성을 열어주었다고 생각한다”고 말했다.

지난 2004년부터 산업자원부 주도로 시작된 “차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업”은 국내 산•학•연의 전문가들이 참여하여 차세대 테라비트급(1012bit) 비휘발성 메모리 원천기술개발을 진행하고 있으며, 산자부는 7년간 약 525억을 투자한다.

전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr