관련 통계자료 다운로드 삼성전자·하이닉스반도체의 낸드플래시 메모리 양산시점 삼성전자와 하이닉스반도체 간 낸드 플래시 메모리 양산경쟁이 불꽃을 튀기고 있다.
하이닉스 반도체는 내년 초에 48 나노 미세공정으로 16Gb 낸드플래시메모리를 양산하겠다고 4일 밝혔다.
하이닉스가 내년 초에 양산할 제품은 삼성전자가 이미 생산중인 16Gb 낸드플래시메모리보다 미세공정에서는 반 발짝 정도 앞선다. 삼성전자는 지난 4월부터 51 나노공정으로 16Gb 낸드플래시메모리를 양산해왔다.
하이닉스의 이 같은 발표는 같은 16Gb 용량이긴 하지만 40 나노대 공정을 먼저 적용해 삼성전자에 승부수를 던지겠다는 포석이 깔려있는 것으로 풀이된다. 엄밀하게 따지면 하이닉스가 양산에 들어가는 것은 40 나노대라기보다는 50 나노대의 변형이다. 2004년 후발주자로 낸드 플래시메모리 시장에 뛰어 들어 삼성전자 따라잡기에 주력해 왔다면 이제는 앞서 나가겠다는 의도다.
하이닉스의 권오철 전무는 “내년 초에 양산하는 48 나노 제품은 경쟁사에서 다음 세대 제품을 양산할 때까지는 경쟁력을 가질 것”이라고 밝혔다. 권 전무는 또 낸드플래시메모리 사업의 역량을 강화하게 된 배경으로 “(낸드플래시메모리가) 휴대폰 등 휴대형 애플리케이션용으로 수요가 늘어나 D램에 비해 시장 성장성이 좋을 뿐 아니라 신규진입이 어렵고 업체 수가 난립해 있지 않기 때문”이라고 설명했다.
하이닉스는 4분기부터 57 나노 싱글레벨셀(SLC) 8Gb를 양산중이다. 엄밀히 따지면 삼성전자가 지난 4월 양산하기 시작한 51 나노 멀티레벨셀(MLC) 16Gb의 경쟁상품이다. 하지만, 양산시기가 삼성전자보다 늦어짐에 따라 같은 용량을 구현하더라도 공정을 한 단계 미세화했다는 점을 들어 시장을 주도해 나가겠다는 의중이 들어있는 것이다. 하이닉스는 이 같은 여세를 몰아 내년 4분기에는 41 나노 32Gb 제품도 양산할 계획이다.
삼성전자는 내년 초에 하이닉스가 적용할 48 나노 공정은 지난 4월 자사가 양산을 시작한 51 나노 공정과 별 차이가 없는 기술이라며 애써 의미를 축소한다. 삼성전자는 내년 하반기부터는 40 나노 32Gb제품을 양산, 세계 최초의 기록을 다시 한번 갈아치우며 하이닉스를 멀찌감치 따돌리겠다는 계획이다.
삼성전자는 지난 2001년에 개발한 100 나노대 제품에서부터 올해 발표한 30 나노 제품에 이르기까지 세계 최초를 기록했고 양산시점에서도 줄곧 세계 최초를 기록중이다. 삼성전자는 2004년에 개발한 60 나노대 8Gb 제품을 지난해 7월 세계 최초로 양산하기 시작했고 2005년 개발한 50 나노대 16Gb 제품도 지난 4월 말부터 양산하고 있는 상황이다.
삼성전자가 한 발 앞서나가면 하이닉스가 곧바로 따라 붙거나 반 발짝 앞서는 제품을 내놓는 메모리 양자간 시소게임은 끝나지 않을 전망이다.
주문정기자@전자신문, mjjoo@
