하이닉스, 54나노 1G D램 인텔 인증 획득

　 하이닉스반도체(대표 김종갑)는 미국 인텔로부터 54나노 공정기술을 적용한 1G DDR2 D램 제품 인증을 획득, 상용화 가능성과 시장성을 확보했다고 22일 밝혔다.

하이닉스는 이 공정기술을 1G DDR3 D램 제품까지 확대 도입하고 내년 하반기부터 1G DDR2 D램과 함께 본격적으로 양산할 계획이다.

하이닉스가 인텔 인증을 받은 54나노 1G DDR2 D램은 생산성이 현재 양산중인 66나노 공정에 비해 50% 이상 향상된 제품으로 비용절감 효과가 크다. 이 제품에는 안정적인 D램 작동을 위해 입체적으로 설계한 ‘3차원 트랜지스터 기술’과 ‘텅스텐 듀얼 폴리게이트(W-DPG) 공정’ 기술이 적용됐다. W-DPG 는 누설 전류를 제어해 전력소비를 줄이면서 속도를 높이는 기술이라고 하이닉스 측은 설명했다. 3차원 트랜지스터는 나노급 제품에서 필요한 트랜지스터 길이를 확보하기 위해 실리콘 표면을 깎아 내 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 것이다.

하이닉스는 인텔 인증을 통해 검증된 1G DDR2 D램의 초고속 작동 및 저소비전력 특성을 강화해 향후 수요가 증가할 것으로 기대되는 대용량 PC용 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등 고부가가치 제품에 확대 적용할 예정이다.

하이닉스의 김정수 상무는 “54나노 1G D램의 인증획득은 하이닉스의 첨단 기술력 및 원가 경쟁력을 보여주는 것”이라며 “800Mbps급 초고속 제품을 양산가능하게 됐다는 점에서 의미가 있다”고 밝혔다.

주문정기자@전자신문, mjjoo@