관련 통계자료 다운로드 기존 수평셀과 수직셀 구조 반도체 비교 재미 한인 반도체기술자들이 주축이 돼 미국에 설립한 벤처기업인 비상이 실험실 수준이었던 신개념 수직셀 구조의 메모리반도체를 세계에서 처음으로 상용화하는 개가를 올렸다. 수직셀 메모리반도체는 이론상 웨이퍼 증설 없이도 칩 생산량을 최대 5배까지 늘릴 수 있는 획기적인 기술이다.
재미 한인 반도체기술자들이 주축이 돼 미국에 설립한 벤처기업인 비상(대표 이상윤 www,besang.com)과 대전 나노팹은 공동으로 수직셀 구조 메모리반도체 제조에 착수, 200㎜(8인치) 웨이퍼에 0.18㎛ 공정을 적용한 시제품 개발에 성공했다고 2일 밝혔다. 이 시제품은 이달 공개될 예정이다.
비상은 이미 올해 초 미국 스탠퍼드대학과 공동으로 100㎜(4인치)웨이퍼·0.80㎛ 공정에서 메모리반도체 수직셀 구조 기술을 적용한 시제품 개발에 성공해 특성을 확인한 바 있다. 상용화를 전제로 한 이번 0.18㎛ 공정 시제품 개발로 신개념 기술의 실제 적용시기를 앞당길 수 있을 것으로 기대된다.
이상윤 비상 사장은 “수직셀 구조 기술이 상용화되면 이론적으로 추가 투자 없이 팹을 4개 정도 더 운영하는 것과 같은 효과를 거둘 수 있어 업계의 관심이 매우 높다”며 “특히 수익의 대부분을 차세대 공정 시설에 재투자해야 하는 악순환의 고리를 끊을 수 있어 한국 메모리업계가 후발업체의 추격을 완전히 뿌리칠 수 있는 계기를 마련할 수 있다”고 강조했다.
비상은 올 초 개발한 0.80㎛ 공정 시제품을 미국과 한국 등의 주요 반도체업체에 공개하고 공동 개발을 제안, 주요 업체들이 상용화를 검토 중이다.
심규호기자@전자신문, khsim@
<수직셀 구조 기술이란>
기존 메모리 반도체는 트랜지스터(npn)를 수평하게 형성시키는 데 비해 수직셀은 이를 90도 회전시켜 수직이 되도록 만든 것이다. 이럴 경우 트랜지스터가 차지하는 면적이 20%로 줄어든다.
메모리 반도체는 정보를 저장하는 메모리 코어 부분이 80%를, 정보를 증폭하거나 신호를 주고받는 로직 부분이 나머지 20%를 차지한다. 수직셀 메모리반도체는 80% 면적을 차지하는 메모리코어 부분의 트랜지스터를 수직으로 세워 20% 면적의 로직 위에 올려놓은 구조다. 기존 방식보다 동일한 웨이퍼에서 5배나 많은 칩을 생산할 수 있어 원가가 20%로 줄어든다.
