실트론, 나노 스트레인드SOI 웨이퍼 개발

　실트론(대표 박영용 www.siltron.co.kr)은 32나노미터(㎚) 이하 미세공정의 초고성능 반도체 제조에 사용되는 ‘나노 스트레인드SOI(Si-on-Insulator) 웨이퍼’를 개발했다고 22일 밝혔다.

　스트레인드SOI 웨이퍼로 반도체를 제조하면 기존의 웨이퍼를 이용하는 것보다 소자의 작동속도가 20∼40% 향상되고 전력소비량과 에러는 각각 2∼4배 줄어드는 특성을 지니고 있어 차세대 제품으로 각광받고 있다. 전 세계적으로 스트레인드SOI 웨이퍼를 생산할 수 있는 업체는 프랑스 소이텍(Soitec)을 포함해 2∼3개 업체에 불과하며 고가의 디지털미디어제품·인공위성·국방 장비 등 최첨단 분야를 겨냥한 개발과 상용화 경쟁이 치열한 분야다.

　육형상 기술연구소(소장 이보영) 박사는 “반도체의 고집적화·고속화·저전력 등의 구현은 회로선폭 축소와 함께 소재(웨이퍼) 기술의 발전이 뒷받침돼야 한다”며 “국내 유일의 웨이퍼 기업으로서 세계적인 수준의 웨이퍼 개발에 성공한만큼 비메모리 반도체 개발을 위한 학계·업계의 연구활동에 크게 기여할 것”이라고 설명했다.

　실트론은 IBM·AMD 등 SOI 웨이퍼를 사용하는 해외 유명 반도체 칩제조사에 고품질·고성능 웨이퍼를 공급하기 위한 양산화 작업을 추진할 계획이다.

　스트레인드SOI 웨이퍼는 채널 영역을 웨이퍼 하부층과 전기적으로 절연시켜 소자의 고속·저전력·고집적도를 구현하는 ‘SOI 기술’과 실리콘 결정 격자의 물리적 변형을 유도해 소자의 속도를 더욱 높이는 ‘밴드갭엔지니어링(band-gap engineering) 기술을 접목한 신개념의 고품질 반도체 기판이다.

　 이정환기자@전자신문, victolee@