삼성전자, DDR3 인텔 인증 획득

　하이닉스반도체에 이어 삼성전자도 차세대 DDR3 D램에 대해 미국 인텔로부터 인증을 획득, 하반기부터 DDR3 시장 선점을 위한 경쟁에 들어간다.

삼성전자(대표 윤종용)는 80나노 공정기술로 제작된 512Mb·1Gb DDR3 D램 8종<사진>과 이를 탑재해 제작한 모듈 13종 등 총 21종 메모리제품에 대해 인텔 인증을 획득했다고 14일 밝혔다.

인텔 인증은 해당 제품이 인텔의 PC플랫폼에서 완벽하게 작동하는 지 여부를 테스트해 인정하는 절차로, PC용 D램 제품의 경우 상용화의 마지막 관문에 해당된다.

DDR3 D램은 DDR2 대비 전력 소모가 적으면서도 초당 기가급 데이터 처리가 가능하다. 윈도 비스타 등 고성능 운용체계(OS) 사양과 함께 본격 성장해, 2009년 후반부터 시장 주력 제품으로 자리잡을 것으로 예상된다.

한편 하이닉스반도체는 지난 1일 세계 최초로 DDR3 단품 및 모듈에 대해 인텔 인증을 획득한 바 있다.

심규호기자@전자신문, khsim@