하이닉스, 40나노급 차세대 낸드플래시 300㎜ 라인 내달 착공

　하이닉스반도체가 40나노대 초미세 공정의 낸드플래시메모리를 양산하는 차세대 미세공정의 300㎜ 팹을 건설한다.

청주에 건설되는 이번 팹(M11 라인)은 200㎜ 팹을 300㎜로 개조한 기존 10라인(M10) 팹과 달리 국내에는 처음으로 지어지는 신규 300㎜ 팹으로, 다음달 건물공사를 시작해 내년 상반기 중 가동에 들어간다.

하이닉스반도체와 충북도는 23일 하이닉스가 청주산업단지 내 삼익 부지 10만8000여㎡에 대한 매입 계약을 하고, 국내 첫 신규 300㎜ 팹(M11)을 청주에 건설키로 했다고 밝혔다.

M11 팹은 40나노대 공정에서 16기가 이상급의 낸드플래시메모리를 양산할 수 있는 최첨단 라인으로 설계돼 하이닉스의 낸드플래시 가격경쟁력 확보의 첨병 역할을 할 전망이다.

하이닉스는 11라인이 들어설 새 공장의 건물을 복층 구조로 지어 그 위층에 2009년 완공을 목표로 12라인(M12)도 건설한다는 계획이다. 1층에 들어설 M11라인 구축에는 건설비와 설비(장비)비를 포함해서 약 3조8000억원이 투입된다. 또 2층에 지을 M12라인 구축에는 건축비를 뺀 약 3조원이 투입될 것으로 보인다.

이에 따라 하이닉스반도체는 당초 알려진 것과 달리 1차 팹(11라인) 건설에 약 3조8000억원(복층건물 건축비 8000억원 포함), 2차 팹(12라인) 건설에 약 3조원을 투자해 총 6조8000억원으로 300㎜ 팹 2개를 확보하게 된다.

하이닉스에 정통한 한 관계자는 “하이닉스가 이번 신규 팹 건설을 위해 4조5000억원을 투입한다는 이야기는 업계의 추정치일 뿐 하이닉스는 구체적인 투자액수를 밝힌 바 없다”며 “11라인과 12라인은 복층팹으로 건설되고 투입하는 장비도 과거와 다르기 때문에 팹 2개를 짓는 데 소요되는 비용은 9조원이 아니라 7조원 이하가 될 것”이라고 설명했다.

이들 팹이 완공되면 하이닉스반도체는 기존 이천의 M10(200㎜를 300㎜로 개조한 팹)과 중국 우시의 300㎜ 팹(C2)을 포함해 4개의 300㎜ 팹을 확보하게 된다.

심규호기자@전자신문, khsim@