하이닉스반도체(대표 우의제)는 4일 세계 최고속, 최소형의 512Mb 모바일 D램 개발에 성공했다고 밝혔다.
신제품은 JEDEC 표준 규격에 따른 것으로 세계 최고속인 200㎒의 속도로 작동해 초당 1.6기가바이트(Gb)의 데이터를 처리한다. 하이닉스 측은 “이 속도면 휴대폰이 최근 3세대로 넘어가면서 DMB·영상통화·동영상 처리를 위해 요구되던 대용량, 고속화 조건을 충분히 만족시킬 수 있다”고 설명했다.
기존에 최고속 모바일 D램은 독일 키몬다가 개발한 183㎒급으로, 초당 데이터처리속도가 1.46Gb였다. 이번 200㎒ 512Mb 모바일 D램은 하이닉스의 133㎒급보다 1.5배가량 속도가 빠르다.
패키지 크기 또한 100원짜리 동전의 8분의 1 수준인 10×8㎜로 업계에서 가장 작은 크기를 유지했다. 기존 최소형 패키지는 삼성전자의 11×8㎜였다.
김정수 하이닉스반도체 상무는 “향후에도 초고속·저전력·대용량의 성능을 요구하는 모바일 D램 시장의 다양한 요구에 적극 부응해 모바일 제품의 개발과 판매를 강화할 예정”이라고 밝혔다.
한편 모바일 D램은 주로 휴대폰에 탑재되는 메모리로 휴대폰 배터리 수명을 감안해 저전력으로 설계돼 일반 메모리에 비해 상대적으로 높은 가격에 판매된다.
심규호기자@전자신문, khsim@
