관련 통계자료 다운로드 삼성전자 D램 공정 개발 역사 삼성전자가 낸드플래시에 이어 D램에서도 세계 최초로 50나노 벽을 깨며 50나노 D램 시대를 열었다. 삼성전자는 D램 신공정에서 지난 2000년 150나노기술부터 올해 50나노기술까지 7세대 연속 세계 최초를 실현했다.
삼성전자는 세계 최초로 6F스퀘어(6F²) D램 셀 기술을 적용한 50나노 1기가 DDR2 D램 개발에 성공, 2008년 초에 본격적으로 양산한다고 밝혔다. 본지 9월 13일자 참조
D램 50나노 공정은 현재 양산에 적용되고 있는 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로, 삼성전자는 이로써 경쟁사와의 기술 격차를 1년 이상 확대했다. 특히 6F스퀘어 공정은 마이크론 등 일부 반도체업체가 적용하고 있으나, 50나노 초미세 공정에 적용한 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 앞으로 80나노 이하 D램은 전량 6F스퀘어 공정을 적용한 생산체계를 갖출 계획이다.
조남용 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “50나노 D램은 오는 2008년 약 50억달러, 2011년에는 누계로 550억달러 시장을 창출할 것”이라며 “60나노에 비해 생산성이 55%나 높은 최첨단 미세공정 제품이면서 초고속작동·데이터저장능력·저소비전력 특성이 강화돼 대용량 서버 및 PC용 D램을 비롯한 모든 D램에 확대 적용될 수 있다”고 말했다.
심규호기자@전자신문, khsim@
◆용어설명
F스퀘어(F-Square)=F스퀘어는 셀의 단위 면적 비율로, 8F스퀘어는 1비트를 저장하게 되는 캐퍼시터의 면적 대비 유닛셀(캐퍼시터를 제어하는 트랜지스터 포함)의 면적이 8배인 것을 말한다. F는 미세공정(디자인 룰)을 나타내는 것으로, 예를 들어 이번에 개발된 50나노 제품의 F는 50이 된다. 즉 6F스퀘어는 가로 3F(50)·세로 2F를 곱한 수치가, 기존의 8F스퀘어는 가로 4F·세로 2F를 곱한 것이 셀 면적이 된다.
