우리나라 반도체·디스플레이 산업의 기술 발전에 공헌한 우수 기업들의 공로를 치하하고 기술 개발 의욕을 고취하기 위해 제정된 대한민국반도체기술대상이 올해 2회째를 맞았다.
세계를 주도하는 국내 반도체·LCD 산업의 위상에 걸맞게 세계적 반도체 행사로 발돋움하고 있는 한국반도체디스플레이대전의 위상처럼 반도체기술대상도 메모리·비메모리와 장비 분야에 걸쳐 세계 정상급 기술들의 향연을 벌인다.
올해는 기술개발 유공부문과 산업발전 유공부분에 모두 42점이 수상의 영광을 안는다. 차세대 고화소(8백만화소) CMOS이미지센서(CIS를 개발을 주도한 삼성전자 이덕형 수석연구원과 300㎜ 웨이퍼 80㎚ 공정을 이용한 512Mb DDR2 D램개발에 성공한 하이닉스 홍성주 상무가 영예의 대통령상을 안는다. 또 5백만 화소 카메라폰에 최적화한 카메라시그널프로세서(CSP)를 개발한 엠텍비젼 이정은 책임연구원과 450㎜ 웨이퍼 가공이 가능한 원자층증착(ALD) 및 공간분할(SD) CVD 공정 장비 개발에 성공한 주성엔지니어링도 대통령상을 수상한다.
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