인텔, 트라이 게이트 트랜지스터 기술 개발

　인텔코리아(대표 이희성)는 인텔이 에너지효율성을 강화하기 위해 트라이-게이트(3D) 트랜지스터 기술을 개발했다고 13일 밝혔다.

　50년대 후반부터 지금까지 트랜지스터는 평면 트랜지스터가 사용됐으며, 칩의 크기가 작아지고 성능은 높아지면서 3D 트랜지스터에 대한 요구가 높아졌다. 인텔은 이 기술이 45㎚ 공정기술과 맞물려 마이크로프로세서의 새로운 기반이 될 것으로 기대했다.

　트라이 게이트 트랜지스터는 평면 트랜지스터보다 적은 전력 누출과 전력 소모 기능을 제공하기 때문에 향후 인텔이 에너지 효율을 높인 제품을 개발하는 데 중요한 역할을 할 전망이다. 이 기술은 기존의 65나노 기반 트랜지스터와 비교했을 때, 드라이브전류(스위칭 스피드)는 45% 강화됐다.

　인텔 측은 “인텔은 트라이-게이트 트랜지스터 구조, 하이-케이 게이트 유전체, 스트레인드 실리콘 기술 등 세가지 주요 요소를 성공적으로 통합했다”며 “이러한 결과들은 향후 10년 동안에도 무어의 법칙 적용을 지속할 수 있도록 할 것”이라고 말했다.

　 문보경기자@전자신문, okmun@