KEC, 미국 비세이와 특허 라이선스 계약 체결

　국내 최대의 개별반도체업체인 KEC(대표 곽정소 http://www.kec.co.kr)는 미국 비세이 실리코닉스와 트렌치방식 금속산화막전계효과트랜지스터(MOSFET)와 관련한 특허 라이선스 및 기술 도입 계약을 체결했다고 7일 밝혔다.

　KEC는 이번 계약으로 비세이 실리코닉스가 보유하고 있는 트렌치 MOSFET에 관한 모든 특허에 대해 라이선스를 획득, 기술을 활용할 수 있게 됐다.

　KEC는 지난 3월 경북 구미사업장에 국내 최초로 트렌치 MOSFET 공장을 건설해 운영하고 있다. 이번 제휴로 KEC는 IP 장벽을 해소하고 향후 저전력 MOSFET의 상품군을 확대를 위한 기반을 마련할 수 있게 됐다.

　비세이 실리코닉스는 저전력 MOSFET 분야에서 핵심기술을 선도하는 세계 1위의 공급업체이며, 특히 트랜치 방식에서는 기본 특허 뿐 아니라 많은 핵심 특허를 가지고 있다. 트렌치 MOSFET는 트렌치 공정을 사용해 게이트를 형성함으로 저항 값을 최소화할 수 있는 저전력 표면실장형의 고효율 반도체로, 최근 배터리를 사용하는 이동기기의 수요 확대로 이 방식의 수요가 폭발적으로 증가하고 있다.

　현재 국내 저전력 MOSFET 시장의 규모는 연간 2500억원 규모로 현재 전량 해외에서 수입하고 있으며, KEC는 국내외에 적극적인 마케팅 활동을 전개해 2010년 이 제품의 판매를 1500억원 이상으로 확대해 나갈 계획이다.

　

심규호기자@전자신문, khsim@