[IT키워드]Fe램

　Fe램은 강유전체를 이용한 차세대 메모리로, FRAM(Ferroelectrics Random Access Memory)으로도 불린다. 강유전체란 전압을 가함으로써 물질 내 자발분극(물질 내에 전기적인 플러스 마이너스가 생기는 상태) 방향을 자유롭게 변화시키고, 전압을 가하지 않아도 그 분극 방향을 지속시킬 수 있는 유전체를 뜻한다.

　Fe램은 전원을 끄더라도 정보가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 정보 입력 속도가 빠르고 소비전력도 낮은 게 장점이다.

　메모리 구조 등이 D램과 유사해 플래시메모리보다 읽기·쓰기가 10배 이상 빠르다. 플래시메모리나 전기적으로 내용을 바꿔 쓸 수 있는 EEP롬에 비해 신뢰성도 뛰어난 것으로 평가받고 있다.

　삼성전자와 하이닉스 등 우리나라 업체를 비롯해 도시바·세이코엡슨 등 일본 업체도 Fe램 기술개발에 박차를 가하고 있다. 업계에서는 앞으로 3∼5년 내 실용화할 수 있을 것으로 예측하고 있다. 특히 전자종이나 RFID 등으로 응용할 수 있을 것이라는 기대가 높다.