모바일 토탈솔루션을 확보하고 세계시장을 주도하고 있는 삼성전자는 이번 SMS포럼 2006에서 차세대와 차차세대에 대한 청사진(로드맵)도 제시했다.
삼성전자가 준비하는 차세대 소자는 P램(상변화반도체)다. P램은 삼성전자 뿐 아니라 인텔 등 선진 반도체업체들도 개발을 추진 중이다.
황사장은 “P램이 낸드를 대체할 수는 없지만 급속히 노어를 대체할 수 있는 소자”라며 “이미 90나노 512Mb 제품을 개발하고 있고 오는 9월에는 본격적인 비즈니스 플랜을 이야기할 수 있는 수준이 될 것”이라고 밝혔다.
삼성이 생각하는 P램 상용화시기는 내년이다. 특히 삼성전자측은 P램이 대용량화가 쉽고 속도가 기존 플래시메모리에 비해 100배 가까이 빠르기 때문에 새로운 애플리케이션 시장 개척도 가능하다고 보고, 검토를 거듭하고 있다.
삼성전자의 차차세대는 테라급을 겨냥하고 있다.
‘황의 법칙’ 대로라면 오는 2011년 테라급 메모리가 출현한다. 이를 실현할 수 있는 미래 기술로 삼성전자는 아직 논문단계이지만 △트윈 Si 나노와이어 FET 기술(세계 최초로 게이트-올-어라운드구조를 채택해 기존 실리콘 기반 기술을 그대로 적용하면서 10nm 이하 나노 소자의 특성을 그대로 구현한 것)과 △멀티 브리지 채널 FET기술(MBC FET·기존 트랜지스터에서는 평면상에 만들어지는 전류 통로를 수직으로 쌓아 올림으로써 동일한 면적에서 많은 전류를 얻을 수 있는 삼성 고유의 획기적인 기술) 등을 세계 반도체산업계에 발표해 놓고 있다.
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