로옴전자코리아(대표 김중언)는 일본 본사가 차세대 전력용 반도체인 SiC(실리콘 카바이드)계열의 ‘저손실 MOSFET(금속산화막전계효과트랜지스터)·사진’를 개발했다고 14일 밝혔다.
이번 개발한 저손실 MOSFET는 가정전원·가전기기 등에 응용함으로써 기기의 소형·고효율화를 가능하게 할 뿐 아니라, 하이브리드 차량에 적용하면 주행 거리를 대폭 향상할 수 있다.
일본 로옴은 올해 안에 샘플 출하를 시작, 고객의 수요를 파악해 양산시기를 결정할 계획이다.
심규호기자@전자신문, khsim@
