과학기술부 테라급나노소자개발사업단의 황현상 광주과학기술원 교수팀이 삼성전자 김정우 박사 연구팀과 공동으로 차세대 테라비트급 플래시 메모리 소자 개발의 핵심 요소인 새로운 전하 저장 매체 개발에 성공했다고 13일 밝혔다.
연구팀이 개발한 전하 저장 매체는 기존 전하 저장매체로 사용되는 실리콘 질화막과 실리콘 양자점의 장단점을 상호 보완한 것이다. 연구팀은 실리콘 질화막에 2∼3㎚크기의 실리콘 결정을 점점이 박아 넣어 테라비트급 차세대 플래시 메모리 소자 SONOS에 적용했다. 특히 플라스마 잠입 이온주입방법(Plasma Immersion Ion Implantation)을 이용해 낮은 에너지에서 고농도의 실리콘 결정을 SONOS에 집어넣는 것이 이번 연구 결과 얻어진 핵심 기술이라고 연구팀은 설명했다.
황현상 교수는 “새로운 테라비트급 메모리 소자용 전하 저장 매체의 제조 공정 기술 확보로 모토로라, AMD, 도시바, 필립스 등 다국적기업 간 경쟁이 치열한 초고집적 플래시 메모리 소자 개발 분야에서 우리나라가 우위를 가지게 됐다”고 말했다.
한편, 이번 연구 성과는 지난 5일 미국 워싱턴에서 열린 세계 3대 반도체 학회 국제전자소자회의(2005 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM))에서 발표됐으며 지난 6월 미 응용물리학회지(Applied Physics Letters)에 논문이 게재되기도 했다.
조윤아기자@전자신문, forange@
