삼성전자가 세계 최초로 최첨단 70나노 공정을 적용한 512Mb DDR2 D램 개발에 성공했다.
이에 따라 이 회사는 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노, 2005년 70나노로 이어지는 4세대 D램 공정기술을 선도하게 됐다.
삼성전자(대표 윤종용)는 현 D램의 최첨단 양산공정인 90나노보다 생산성을 2배 향상시킨 70나노 공정으로 512Mb DDR2 D램<사진>을 개발했다고 13일 밝혔다.
나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술을 지칭하며, 삼성전자가 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술이다.
삼성전자는 지난해 중순부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품의 양산을 시작해 경쟁업체에 비해 1년 이상 앞서 있으며, 이번 기술 개발로 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐다.
특히 기존 90나노와 80나노 공정기술과 기술 연속성을 유지, 70나노 제품 양산시 추가 투자를 대폭 줄일 수 있는 장점이 있어, 업계 최고의 원가 경쟁력을 한층 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자 측은 “현재 양산중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 이번 70나노 512Mb D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입할 예정”이라며 “향후 70나노 공정을 1기가·2기가 D램까지 확대 적용해 대용량 D램 시장을 주도해 나갈 계획”이라고 밝혔다.
심규호기자@전자신문, khsim@
