톱 반도체 업체들, 미세 공정에서 전력 효율 높이는 신공정 개발

　세계적인 종합반도체업체(IDM) 들이 나노 공정을 활용한 반도체에서도 전력 효율을 높일 수 있는 첨단 공정 기술을 잇달아 발표하고 있다.

　반도체 회로 선폭이 65㎚ 등 초미세화되면서 같은 크기의 반도체에 과거에 비해서 더 많은 기능이 탑재돼 전력 사용량이 늘어나는 것을 방지하기 위해서다. 또 휴면시 사용되는 불필요한 전력을 감소시킴으로써 시스템 전체의 전력 효율을 높여 모바일 시대에 경쟁사 대비 우위를 확보한다는 전략이다.

　25일 관련업계에 따르면 내셔널세미컨덕터는 ‘VIP50 공정’을, TI는 ‘스마트리플렉스(SmartReflex)’ 공정을, 인텔은 65㎚ 초절전 공정 기술을 3분기 말에 일제히 공개했다.

　내셔널세미컨덕터코리아(대표 김용춘)는 본사에서 정밀, 저전원, 저전압 Op 앰프의 성능을 개선해주는 이중상보성금속산화막반도체(BiCMOS) 아날로그 공정 기술인 ‘VIP50’을 개발했다고 밝혔다. VIP 공정은 그동안 사용된 SOI(Silicon-on-insulator) 공정에 비해 낮은 전류수준에서 적은 전력을 소모하면서도 정밀도가 높은 앰프 반도체를 설계할 수 있다. 회사 관계자는 “기존 제품에 비해 같은 속도 기준으로 전력효율이 10배 높은 제품을 이달 출시할 예정”이라고 말했다.

　TI코리아(대표 손영석)는 TI가 65㎚ 공정에서 불필요한 전류 누설을 방지해주는 ‘스마트리플렉스’ 기술을 개발했다고 전했다. TI는 오맵2 애플리케이션 프로세서의 제품군에서 이 기술을 이미 통합했으며 향후 무선 제품군에도 적용할 계획이다. TI코리아 관계자는 “미세공정과 고성능 프로세싱 기능으로 인해 누설 전력이 많아 전력관리에 어려움이 있었다”며 “스마트리플렉스 기술을 통해 전력 소비를 대폭 줄일 수 있어 무선 엔터테인먼트, 게임, 음악 애플리케이션 기능을 확장할 수 있다”고 말했다.

　인텔코리아(대표 이희성)는 자사 연구진이 모바일 기기의 배터리 수명 연장을 위한 초저전력 65㎚ 로직 제조 공정을 개발했다고 공개했다. 인텔의 초절전 65㎚ 공정 기술은 핵심 트랜지스터의 변경을 통해 저전력을 제공하는 기술로 전류 누설량을 현저히 감소시켜 배터리 수명을 연장할 수 있다고 설명했다. 인텔은 이 기술을 차세대 중앙처리장치(CPU)인 ‘메롬’(암호명) 등에 적용할 것으로 알려졌다.

김규태기자@전자신문, star@