스팬션, 90나노 1Gb 노어플래시 개발

AMD와 후지쯔의 플래시 메모리 부문 합작법인인 스팬션이 90nm 미러비트 기술 기반의 싱글칩 1Gb급 노어플래시와 1Gb 오어(OR) 낸드 플래시 개발에 성공했다고 스팬션코리아(대표 김광준 http://www.spansion.com)가 21일 밝혔다.

스팬션은 이번 개발한 1Gb 노어플래시를 이용한 2Gb 집적도의 오어낸드도 내년에 발표할 예정이다. 이와 함께 휴대폰 시장을 겨냥한 고성능의 1.8V 512Mb 노어플래시를 내년 초부터 양산하는 한편, 내년부터는 65nm 기술 기반의 제품 개발에 주력할 방침이라고 회사측은 전했다.

심규호기자@전자신문, khsim@