연세대 최헌진 교수팀, 자성 나노 반도체 발광소자 개발

　국내 연구진이 기존 반도체 소자보다 4배 이상 효율을 향상시킬 수 있는 차세대 자성 나노 반도체 발광소자 개발에 성공했다. 오는 2010년께에는 이 기술을 응용한 광저장장치, 스핀트랜지스터, 차세대 메모리 상용제품이 출시될 전망이다.

　연세대 최헌진 교수<사진>와 한국과학기술연구원(KIST), 전북대 등 국내 연구팀과 미국 캘리포니아 주립대가 참여한 국제공동연구팀은 최근 나노기술을 이용해 자성 반도체 발광소자를 개발했다고 29일 밝혔다. 최 교수팀의 연구 성과는 이 분야 권위지인 ‘어드밴스트 머티리얼’지 6월호에 게재됐다. 자성 반도체를 이용한 발광소자 개발 사례가 국제 저널을 통해 공식 보고된 것은 이번이 처음이다.

　최 교수팀이 개발한 자성 반도체 발광소자는 전자의 전하, 즉 전기적 성질을 이용하는 기존 정보소자와 달리 전기적 성질뿐 아니라 전자가 갖고 있는 자성을 동시에 이용한다. 이 때문에 메모리나 트랜지스터, 발광소자 등에서 기존 소자보다 적은 전력으로 대용량정보를 더 빨리 처리할 수 있다.

　최 교수는 “5년 후에는 스핀트랜지스터, 스핀LED와 같은 상용 제품을 먼저 선보일 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.

　조윤아기자@전자신문, forange@