인텔, 차세대 반도체 개발 박차

인텔이 실리콘 기반의 반도체를 이을 차세대 반도체 연구에 박차를 가하고 있다.

세계 최대 반도체 업체인 인텔은 기존의 실리콘 기반 반도체 기술이 오는 2013년 이후에는 기술적인 한계에 봉착할 것으로 예상, 포스트 실리콘 기술 개발에 연구력을 집중하고 있다고 실리콘스트래티지스가 최근 보도했다.

인텔이 연구하는 차세대 반도체 기술은 트라이-게이트 트랜지스터, 탄소 나노튜브, 실리콘 나노와이어, III-V 기반 칩, 스핀트로닉스 등이다. 인텔은 오는 2013년에서 2019년 사이에 이같은 차세대 반도체 기술이 실제 제품에 적용될 것으로 예측하고 있다. 이 회사는 이같은 로드맵을 염두에 두고 2007년과 2009년, 2011년에 각각 45나노, 32나노, 22나노 노드에서의 트라이-게이트 트랜지스터를 선보인다는 계획이다. 이미 주요 대학과의 협력을 통해 100여개에 달하는 연구 프로젝트를 진행하고 있다. 현재 초기 탄소 나노튜브와 나노튜브 FET 등에 대한 연구가 집중적으로 이뤄지고 있다.

인텔의 한 관계자는 탄소 나노튜브 등 차세대 반도체 연구에 집중하는 이유에 대해 “22나노미터 노드에서의 벌크 실리콘은 일부 한계를 가지고 있다. 이를 극복하는 것이 우리가 해야 할 일”이라고 말했다.

한편 탄소 나노튜브 반도체는 같은 크기의 전통적인 트랜지스터보다 속도는 3배 빠르지만 소모 전력은 비슷하다. 또한 회로 선폭이 나노미터 수준이어서 현재보다 만배 정도 집적도가 높은 칩을 만들 수 있는 것으로 알려졌다.

전경원기자@전자신문, kwjun@