TI, 반도체 공정 90나노로 전환 가속화

　텍사스인스트루먼트(TI) 반도체 생산공장인 팹을 130나노에서 90나노 공정으로 전환하는 등 생산공정 고도화에 박차를 가하고 있다.

실리콘스트래티지스는 TI의 케빈 마치 CFO 가 최근 가진 컨퍼런스콜에서 두개의 내부 공장(팹)과 실리콘 파운드리에서 90나노 디자인 생산 계획을 밝혔다고 20일(현지시각) 보도했다. 90나노 기술을 적용함에 따라 TI는 생산량 증가와 원가절감 효과를 기대할 수 있게 됐다. 이미 인텔을 비롯한 유수의 반도체 업체들은 90나노 공정을 사용하고 있는 상황이다.

보도에 따르면 TI는 현재 댈러스 소재 ‘킬비 팹’이 200㎜, 90나노 기술을 사용하고 있으며, 앞으로 300mm 웨이퍼를 사용하는 ‘DMOS6’팹도 연말까지 130나노 공정에서 90나노로 전환할 예정이다.

또한 TI는 파운드리 협력업체인 대만 TSMC와 UMCi(싱가포르에 위치한 300㎜ 팹)도 연내에 90나노 디자인을 적용할 계획이며 또 다른 파운드리 파트너인 중국 SMIC와 한국의 동부아남반도체 역시 90나노로 전환키로 했다.

전경원기자@전자신문, kwjun@