ST마이크로, 8Mb P램 데모제품 개발

　ST마이크로일렉트로닉스가 차세대 메모리로 부상하고 있는 P램(고집적 상변환메모리소자, Phase change RAM) 8Mb 데모제품을 개발했다고 ST마이크로한국지사(대표 이영수) 측이 30일 밝혔다.

이 데모제품은 바이폴라 선택 트랜지스터를 이용한 P램 셀을 기반으로 하면서도 금속 산화막 반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 셀렉터와 완벽하게 호환이 가능하다고 ST마이크로측은 설명했다.

이 제품 개발에 활용된 기술은 ‘칼코겐화물’ 이라는 물질에 적절한 열을 가함으로써 안정된 두 상태(하나는 전기적 저항이 높은 비결정 상태, 다른 하나는 저항이 낮은 결정상태) 사이에 스위칭이 가능하다는 사실을 이용한 것이다.

　이번 ST마이크로의 P램 기술은 지난 2001년 ST마이크로와 오보닉스 사이에 체결된 계약에 따라 개발된 것으로 오보닉스는 박막 비휘발성반도체 메모리기술을 확보하고 있다.

　P램은 물질의 상태 변화를 이용해 동작하는 메모리반도체로, 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트를 얻는 방식으로 동작한다.

한편 국내에서는 이미 삼성전자가 세계 최초로 0.18미크론 공정을 활용한 64Mb P램 시제품을 개발, 해외 경쟁국에 비해 한발 빠른 행보를 보이고 있다.

심규호기자@전자신문, khsim@