삼성전자 업계 최초로 대만 SiS사로부터 DDR2 667 제품 인증 획득

삼성전자가 대만 칩셋 업체인 SiS사로부터 DDR2 667Mbps 제품 인증을 획득하고 이달부터 본격 양산에 돌입한다고 2일 밝혔다.

　 DDR2 667Mbps은 현존 DDR 제품 중 속도가 가장 빨라(초당 한글 4100만자·단행본 140권의 대용량 데이터 처리) 차세대 D램 시장의 주력 제품으로 떠오르고 있다.

　삼성전자가 SiS사로 부터 인증을 획득한 제품은 △ 256Mb DDR2 667 단품 △ 256Mb 단품 8개를 탑재한 256MB 모듈 △ 256Mb 단품 16개를 내장한 512MB 모듈 등 총 3종이다.

　DDR2 667 Mbps는 현존하는 DDR SD램 가운데 동작속도가 가장 빠른 제품으로, 현재 이 보다 동작속도가 낮은 DDR2 400Mbps과 DDR2 533Mbps가 일부 고성능 PC용으로 생산되고 있다.

　삼성전자는 이번에 인증받은 DDR2 667Mbps 제품을 0.1미크론 공정에서 본격 양산, 차세대 프리미엄 D램 시장을 선점할 예정이다.

　삼성전자는 DDR2-667에 대한 인텔 인증은 연말부터 추진해 내년 초 인증을 획득한다는 계획으로, 인텔도 내년 초 DDR2 667에 맞는 칩셋을 내놓을 것으로 전망된다. DDR2용 칩셋은 대만의 SiS사, 비아, 앤비디아 등이 먼저 칩셋을 내놓고, 그 가운데 주력 규격의 칩셋을 인텔이 내놓고 시장을 확산해 나가는 추세다.

　삼성전자는 DDR2 667 Mbps의 인텔 인증도 내년 초 획득해 차세대 고성능 D램 시장 공략을 가속화한다는 계획이다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>