미 램트론, 세계 첫 1메가 F램 개발

　미국 반도체업체인 램트론인터내셔널이 세계 처음으로 1메가비트(Mb) F램을 개발했다고 반도체 전문 인터넷 뉴스사이트인 실리콘스트래티지스가 31일 보도했다.

　램트론은 신제품에 0.35마이크론 공정 기술을 적용했고 접속시간(액세스 타임)은 55나노미터(nm)라고 설명했다. 램트론의 파운드리(수탁가공생산) 파트너사인 일본 후지쯔가 이 제품을 생산하며 올 여름께 샘플을 선보일 예정이다.

　마이클 알와이스 램트론 부사장은 “현재 F램중 가장 고밀도인 제품이 256킬로비트(Kb)”이라며 “이번에 우리가 1메가급 F램 개발에 처음으로 성공함으로써 F램 시장이 더욱 탄력을 받게 될 것”이라고 강조했다.

　램트론이 개발한 F(Ferroelectric)램은 차세대 반도체로 D램의 대용량 데이터 저장과 S램의 고속동작이 기능하며 전원이 꺼져도 기록된 데이터가 지워지지 않는 장점을 갖추고 있다.

　<방은주기자 ejbang@etnews.co.kr>