하이닉스, 메모리반도체에 `전력`

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.com)가 비메모리 매각과 중국공장 신설 등을 통한 메모리반도체 생산 확대를 택했다. 하이닉스반도체는 19일 증권거래소에서 이 같은 내용을 골자로 하는 기업설명회(IR)를 개최했다.

◇비메모리 매각=하이닉스반도체는 조만간 비메모리부문 매각작업을 완료하고 2∼3년 내에 중국에 메모리 생산기지를 설립한다는 계획이다. 정형량 전무는 19일 가진 IR에서 “자세한 사항은 협상이 진행중이어서 밝힐수 없지만 비메모리 매각협상을 마무리중”이라며 매각이 임박했음을 시사했다. 그러나 아직 협상이 끝난 상태가 아니기 때문에 매각을 통해 얼마의 현금이 유입될 수 있을 지는 미지수다.

◇중국공장 신설=정 전무는 “중국내 생산기지 입지선정 작업이 마무리 상태”라며 “내년 3·4분기 양산 시작을 목표로 추진 중”이라고 밝혔다. 이를 위한 투자는 내년부터 투입되며 미국 유진공장처럼 자회사 등의 형태가 될 전망이다. 다만 중국과 한국 모두에 허가를 받아야 하고 중국의 지방 정부가 대주주가 될 수 있는 등 유동적인 부분이 적지 않다고 정전무는 밝혔다. 아직 12인치 라인이 될 지 8인치 라인이 될 지도 미정이다.

◇하이닉스의 의도=하이닉스반도체의 이날 IR은 사실상 메모리반도체에 모든 역량을 집중하겠다는 전략의 표명이다. 비메모리부문 매각과 중국공장 신설 등은 모두 메모리 생산량을 확대하기 위한 피할 수 없는 선택인 셈이다. 이 회사는 올해 메모리 생산량은 지난해 5억3800만개보다 50% 증가한 7억9200만개를 생산할 예정이라고 밝혔다. 이를 위해 올해 투자를 지난해 7400억 원보다 90% 가까이 증가한 1조4000억 원으로 계획하고 있다. 또 300밀리웨이퍼 공장 증설을 위해 올해 2억 달러를 투자한다.

이와 함께 개발을 끝낸 낸드형 플래시메모리는 3월말이나 4월초부터 월 웨이퍼 1만장규모로 양산하며 연말에는 3만장 규모로 늘릴 예정이다. 삼성전자의 가격 인하 등으로 전체적으로 가격이 45% 인하할 것으로 추정되지만, 이럴 경우에도 수익률은 D램보다 좋을 것이라고 하이닉스측은 밝혔다. 하이닉스는 조만간 비메모리부문 매각 대금 등으로 기존 설비를 300㎜ 웨이퍼로 전환하고 신규 생산라인을 증설하는데 투입할 계획이다.

◇지난해 실적과 올해 목표=하이닉스반도체는 지난해 3·4분기에 이어 4·4분기에도 영업이익을 실현하면서 두 분기 연속 흑자를 기록했다. 이같은 실적 호조에 힘입어 하이닉스는 올해 매출 목표를 지난해 대비 34% 늘어난 5조2000억 원으로 책정했다. 하이닉스는 지난해 4분기, 해외 법인 포함기준으로 1조2440억 원의 매출액과 2190억 원의 영업이익을 기록했다고 19일 발표했다. 이 같은 실적은 지난 3분기 매출액 1조810억 원과 영업이익 940억 원에 비해 각각 15%와 133% 증가한 것이다. 이 회사는 매출 확대 배경으로 △D램 판매 수량 및 초고속 DDR D램 등 고부가가치 제품의 판매 비중 증가 △반도체 경기 호조에 따른 팹 가동률 증가 △비메모리 사업부문의 매출 확대 등을 꼽았다. 또 생산성 향상에 따른 업계 최고의 원가구조와 이에 따른 수익성 개선, 안정적인 대형 고정거래 고객의 증가 등으로 영업이익이 대폭 증가했다고 덧붙였다.

　<심규호기자 khsim@etnews.co.kr 김규태기자 star@etnews.co.kr>