나노광전소자 CMOS 상용화 추진

　플래시 기능인 백색발광다이오드(LED)를 카메라폰에 장착하지 않고도 촛불 밝기의 어두운 조명속에서 선명한 영상 촬영이 가능한 상보성금속산화물반도체(CMOS)가 연말께 상용화될 전망이다.

　전자부품연구원(원장 김춘호 http://www.keti.re.kr)은 나노광전소자(포토다이오드) 기술을 개발·특허출원한 가운데 이를 이용한 CMOS 등 응용 제품을 연말께 선보이고자 플래닛82(대표 윤상조 http://www.planet.net)와 수탁연구 계약을 체결했다고 15일 밝혔다.

　부품연 기술확산실 신찬훈 실장은 “나노광전소자를 이용하게 되면 빛에 대해 기존 광전소자 대비 수백∼수천배 이상의 고감도 특성을 갖는 고성능 CMOS를 만들 수 있다”고 밝혔다. 이는 광 신호를 전기적 신호로 변환하는 광전소자의 구동방식을 기존 PN접합 기술 방식이 아닌 단일 캐리어 변조 기술 방식으로 전환해서라고 부품연측은 설명했다.

　특히 기존 PN접합 방식의 광전소자를 이용한 CMOS는 300만 화소급 이상으로 넘어갈 경우 이미지센서가 커지고 또 크기를 줄이면 해상도가 떨어지는 물리적인 한계점을 안고 있는 반면 단일 캐리어 변조 방식은 면적이 작아질수록 고해상도의 특성이 있다.

　따라서 나노광전소자가 기존 PN 접합방식인 광전소자 크기의 수십 분의 일로 축소돼도 양질의 이미지 검출이 가능하다. 특히 현재의 이미지센서 화소집적률을 300만 이상으로 높일 수 있을 뿐더러 고감도 특성을 얻을 수 있어 카메라폰의 초소형화에 기여할 것으로 전망된다.

　부품연 김훈 나노광전소자연구센터장은 “나노광전소자를 이용해 하반기 목표로 1차적으로 33만화소(VGA)급 고감도 CMOS 양산 기술을 플래닛82측에 이전하고 곧 이어 100만 화소급 이미지센서 양산 기술도 이전할 계획”이라고 밝혔다. 　

　부품연은 또 나노광전소자는 이밖에 피부수분측정기·무혈당측정기·화학물질 센서장치 등에 다양한 분야에도 응용될 수 있다고 덧붙였다.

　<안수민기자 smahn@etnews.co.kr>