하이닉스, `0.18미크론 고전압 공정기술` 세계 최초로 개발

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.com)가 세계 최초로 0.18미크론(㎛) 고전압(high voltage) 공정기술 개발에 성공했다고 25일 밝혔다.

　신기술은 LCD구동드라이버IC(LDI) 등 고전압을 요구하는 비메모리 반도체 소자 제조에 필요한 핵심 공정기술로 칩 면적 기준으로 20∼30% 축소할 수 있어 휴대폰의 소형화 및 경량화에 유리하다.

　또 0.25 및 0.35미크론 공정에서 소스, 게이트 드라이버, 컨트롤러, 직류전압 변환회로, 프레임 메모리(S램) 등의 기능을 구현하려면 2∼3개의 칩(chip)이 필요하지만 0.18미크론 고전압 공정기술을 이용할 경우 이를 하나의 칩으로 구현할 수 있어 제조비용 절감도 가능하다.

　0.18미크론 고전압 공정기술은 휴대폰 디스플레이의 화면이 커지고 해상도가 증가함에 따라 집적해야 할 프레임 메모리의 양이 늘어나면서 향후 휴대폰용 LDI의 대세로 정착되고 있다고 회사측은 설명했다.

　하이닉스반도체는 이미 이 기술을 단일칩 TFT LCD LDI 제품에 적용, 시제품을 고객에 제공하고 있으며 내달부터 본격적인 제품양산에 들어갈 예정이다.

　하이닉스반도체 관계자는 “LDI가 LCD 패널의 폭발적인 수요증가에 힘입어 반도체 시장의 새로운 수익 창출원으로 떠오르고 있는 가운데 이번 기술개발로 휴대폰용 LDI 분야에서 일본 업체들을 제치고 업계 선두자리를 노릴 수 있게 됐다”고 말했다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>