삼성, 차세대 메모리 `P램` 개발

삼성전자가 기존 플래시메모리보다 데이터 처리속도가 1000배 이상 빠른 차세대 메모리 P램(Phase-change RAM)을 개발하는 데 성공했다고 7일 밝혔다.

　삼성전자가 개발한 P램은 3.0V 전압에 쓰기속도 100나노초(㎱, 1㎱=10억분의 1초), 읽기속도 50㎱로 동작하고 20억회까지 반복사용이 가능하며 70도 고온에서 20년간 데이터를 보존할 수 있다.

　기존 메모리는 구성단위인 셀 내부마다 데이터를 저장하는 캐페시터(capacitor)이 있지만 P램은 전류를 가할 때 셀의 저항이 높은 비정질에서 낮은 결정질로 변화하면서 데이터를 저장하기 때문에 집적도를 높일 수 있는 장점이 있다.

　삼성전자는 이 제품을 Bi-CMOS 공정을 사용하는 경쟁사와는 달리 상대적으로 공정이 용이하고 상품화 가능성이 높은 CMOS 공정을 적용해 개발, 원가경쟁력을 높였다. 삼성전자는 이를 오는 2005년부터 노어(NOR)형 플래시메모리를 대체해 상용화할 계획이다.

　삼성전자 관계자는 “휴대기기 시장이 확대되면서 전력소모량을 줄이고 속도를 대폭 높이는 차세대 메모리에 대한 요구가 높아지고 있다”면서 “P램뿐만 아니라 M램·F램 등의 개발도 함께 진행중이며 시장상황에 맞게 상용화할 것”이라고 말했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>