삼성전자, 노어형 플래시메모리시장에 본격 진입

　삼성전자가 지난해 데이터저장(NAND:낸드)형 플래시메모리 수요증가에 힘입어 시장 2위에 오른 것을 계기로 올해에는 코드저장(NOR:노어)형 시장공략에 본격적으로 나설 계획이다.

　삼성전자의 한 관계자는 “최근 64Mb와 128Mb급의 노어형 플래시메모리 개발에 성공, 생산라인 조정과 업그레이드를 통해 노어형 플래시메모리 시장에 본격적으로 뛰어들 방침”이라며 “인텔과 AMD-후지쯔 등이 장악하고 있는 플래시메모리의 최대 수요처인 휴대폰시장을 중심으로 시장진입을 서두를 계획”이라고 23일 밝혔다.

　이같은 방침은 올해 수요가 급팽창할 것으로 예상되는 2.5세대, 3세대 휴대폰 시장을 겨냥한 것으로 지난해 낸드형 제품으로 석권한 디지털카메라, USB 플래시 드라이버에 이어 신규시장을 개척하겠다는 의지로 풀이된다. 특히 세계 3위의 휴대폰업체로서 자체 조달이 가능한데다 S램·저전력D램 등을 적층(stack)하는 멀티칩패키지(MCP) 기술이 뛰어나 향후 대용량 메모리가 필요한 시장에서도 경쟁력을 높일 수 있다는 판단도 크게 작용한것으로 보여진다.

　삼성전자는 이에 따라 플래시메모리 생산능력을 기존 6·7라인에 이어 8라인으로 확대, 지난해 연간 300만개 규모였던 노어형 제품 생산능력을 무려 20배 수준인 월 500만개, 연간 6000만개 수준으로 늘릴 방침이다.

　한편 반도체 통계기관인 WSTS는 플래시메모리의 시장규모가 지난해 77억달러, 올해 100억달러, 내년에는 128억달러로 급성장할 것으로 전망했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>