인텔, 3중 게이트 트랜지스터 발표

　인텔이 3개의 게이트를 갖춘 3중 게이트 트랜지스터를 개발했다고 일본 나고야에서 개최된 ISDMC(International Solid State Device and Materials Conferece)에서 밝혔다고 C넷이 보도했다.

　인텔의 3중 게이트 트랜지스터는 1개의 게이트를 갖춘 기존 트랜지스터와는 달리 3개의 게이트를 갖고 있어 더욱 많은 양의 전류를 처리할 수 있기 때문에 반도체의 성능을 높일 수 있도록 해준다. 또 전류누출 문제를 해결해주며 반도체의 직접도 향상에도 기여할 것으로 기대된다.

　인텔은 평면구조로 이뤄진 기존 트랜지스터와는 달리 트랜지스터를 실리콘 기판 위로 튀어나오도록 설계한 후 트랜지스터의 윗면과 옆면 등에 3개의 트랜지스터가 놓이도록 했다.

　인텔에 앞서 IBM·AMD·TSMC 등의 전세계 주요 반도체업체들도 최근들어 2개의 게이트를 갖춘 다중 게이트 트랜지스터를 잇따라 내놓았었다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>