세계 메이저 반도체업체들 90nm 공정기술 확보에 `사활`

　반도체업체들간 첨단기술인 90㎚ 공정기술 확보 경쟁이 본격화되고 있다.

　인텔·AMD·텍사스인스트루먼츠(TI)·인피니온·TSMC·UMC 등 주요 프로세서 및 로직·파운드리 업체들이 잇따라 90㎚ 공정기술 도입 계획을 밝히고 있는 가운데 이의 성공 여부가 향후 반도체업체의 존폐를 가름하게 될 것이라고 실리콘스트래티지스가 보도했다.

　반도체업체들이 90㎚ 공정기술에 매달리고 있는 것은 공정기술을 미세화할수록 반도체의 수율과 직접도는 올라가는 반면 생산 단가는 떨어져 경쟁사들에 비해 유리한 위치를 선점할 수 있기 때문이다.

　인텔은 이달초 90㎚ 공정기술로 50㎚ 길이의 트랜지스터 게이트를 갖춘 실험용 칩을 만들어냈으며 내년 하반기부터 90㎚ 공정기술을 이용한 반도체 대량생산이 가능할 것이라고 밝혔다. 인텔은 90㎚ 공정을 고성능 펜티엄4 프로세서인 프레스콧(코드명)에 우선적으로 적용할 계획이다. 초기에는 미국 오리건주 힐스보로에 있는 D1C 개발 팹에서 90㎚ 반도체를 생산하고 이를 뉴멕시코 알부쿼크의 300㎜ 전용 팹과 아일랜드 팹으로 확대 적용키로 했다. 그러나 인텔은 90㎚ 공정을 기존 200㎜ 웨이퍼 팹이 아닌 300㎜ 팹에만 적용할 계획이다.

　AMD도 내년 상반기까지 기존 130㎚ 공정기술로 50㎚ 트랜지스터 게이트를 갖춘 프로토타입 반도체를 만들고 하반기에는 이를 90㎚ 공정으로 전환할 계획이라고 최근 밝혔다. 이 회사의 기술개발 담당 부사장인 크레이그 샌더는 “90㎚로 전환하면 트랜지스터 게이트의 길이는 50㎚ 이하가 될 것”이라고 주장했다. AMD는 90㎚ 공정을 애슬론 해머 데스크톱 프로세서 중 일부 고성능 제품에 우선적으로 적용할 예정이며 첫 90㎚ 공정은 기존 독일 드레스덴의 200㎜ 웨이퍼 팹에 적용키로 했다.

　TI는 90㎚ 공정을 내년 3분기에 도입, 연말까지 지속적으로 생산량을 늘려갈 것이라고 밝혔다. TI의 첫 90㎚ 공정 반도체는 선마이크로시스템스에 납품하게 될 차세대 울트라스파크 프로세서가 대상이며 TI는 90㎚ 공정기술을 기존 300㎜ 팹과 일부 200㎜ 팹에 적용키로 했다.

　로직업체인 인피니온테크놀로지는 내년말부터 90㎚ 반도체를 생산한다는 계획이다. 이 회사의 코어로직 담당 수석 부사장인 프랜즈 네플은 “300㎜ 합작 팹인 UMCi 300㎜ 팹이 내년 중반에 130㎚ 공정의 가동에 들어간다”며 “이를 신속히 90㎚ 공정으로 전환할 것”이라고 밝혔다.

　TSMC는 내년말 신주의 새 300㎜ 팹인 팹12에 90㎚ 공정을 적용키로 했다. 그러나 이 회사의 대변인은 “아직까지 기존 200㎜ 웨이퍼 팹을 새 공정에 적용할지는 결정되지 않았다”고 설명했다.

　UMC는 내년 상반기 200㎜ 팹에서 90㎚ 파일럿 생산을 실시하고 같은해 300㎜ 팹인 팹 12A에 이를 확대 적용키로 했다. 또 이 회사는 AMD와 공동 개발한 90㎚ 공정기술을 이용해 AMD의 프로세서도 생산하게 된다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>