<오늘의 용어>나노와이어

　나노와이어(nano wire)란 한마디로 나노(100만분의 1)급 제조기술을 이용해 제작된 전자부품용 도선(wire)을 지칭한다.

　반도체 회로의 크기가 점점 작아지고 고속화됨에 따라 더욱 저렴하고 강력한 컴퓨터 부품들이 제작돼 정보기술(IT)의 발전을 더욱 가속화시키는 역할을 해왔다. 나노전자공학 구조를 이용하면 여기에서 더 나아가 앞으로도 20여년 이상 지속적인 부품 소형화가 가능할 것으로 예상되고 있다.

　특히 트랜지스터의 크기를 현재보다 10분의 1로 줄여 1조개 이상의 트랜지스터를 갖도록 한 테라급 반도체의 생산이 조만간 현실화될 것으로 예상하고 있다. 1조개의 트랜지스터 칩을 만들기 위해서 업계는 나노미터 크기의 구조물을 대량으로 생산할 수 있어야 한다. 게이트 산화물의 두께를 1나노미터로 해서 금속 이중게이트산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 만들어야 하고 실리콘 채널의 경우에는 두께가 3나노미터, 길이가 10나노미터 정도인 나노기술이 적용되어야 하는데 이들을 이어주는 역할을 바로 나노와이어가 담당하게 된다.

　나노와이어 제조에는 금속전자빔 현미경 또는 전자주사 현미경과 같은 고가의 장비가 필요하다. 이에 따라 최근에는 금이나 은 등 각종 금속을 증착시켜 스스로 형성되는 나노와이어를 얻기 위한 다양한 기술들이 선을 보이고 있다.