IBM, 1억번째 저전력 SiGe 반도체 생산

　IBM이 1억번째의 실리콘게르마늄(SiGe) 반도체를 생산했다고 C넷이 보도했다.

　SiGe 반도체는 기존 갈륨비소(GaAs) 반도체에 비해 전력소모는 적으면서도 성능은 5∼10배 이상 빠른 최신 반도체로 이번에 IBM의 1억번째 생산 돌파로 SiGe 반도체가 산업 전반에 걸쳐 활용이 본격화되기 시작한 것으로 평가된다.

　IBM이 1억번째 SiGe 반도체를 생산한 것은 지난 98년 첫 제품을 내놓은 지 4년 만의 일로 1억번째 SiGe 반도체는 텍트로닉스로 납품됐다.

　IBM측은 지금까지 SiGe 반도체가 주로 휴대폰, 무선 LAN, 광네트워킹 응용제품, 반도체 테스트 및 측정 장비 등의 제조에 사용됐다고 밝혔다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>