오사카大, 100Gb M램 개발

　하드디스크의 용량을 뛰어넘는 100Gb 용량의 반도체 메모리가 가능하게 됐다.

　일본경제신문에 따르면 오사카대학의 연구팀은 지금까지 1Gb가 한계이던 자기램(M램)의 이론적 최대 메모리 용량을 100Gb로 100배 늘릴 수 있는 기술을 개발했다. M램은 반도체 내부의 자기 메모리 셀의 자화 방향에 따라 ‘0’ 또는 ‘1’의 데이터 비트가 기록되는 메모리다.

　오사카대 연구팀은 기존 M램의 사각형 모양이던 메모리 셀을 직경 0.5미크론 이하의 초소형 고리 모양으로 바꿔 한 셀의 자기작용이 다른 셀에 미치는 영향력을 최소화시켰다. 이에 따라 기존 사각형 모양 셀의 경우 서로 간의 거리가 0.3미크론 이상 떨어져 있어야 하지만 고리 모양 셀간의 거리는 0.1미크론까지 줄일 수 있어 높은 직접도가 가능하게 됐다.

　오사카대 연구팀은 반도체 업체들과 협력해 이번에 개발한 기술의 상용화에 나설 계획이다.

　오사카대의 기술이 상용화될 경우 PC의 기본 개념이 크게 뒤바뀔 것으로 예상된다.

　일례로 M램은 자기 메모리 셀을 이용하기 때문에 D램처럼 전원이 차단되더라도 데이터가 소실되지 않으면서도 D램처럼 빨리 읽고 쓸 수 있어 하드디스크를 대체할 수 있다. 또 D램과는 달리 데이터 유지를 위해 끊임없이 전류를 공급받지 않아도 돼 노트북 PC의 수명을 획기적으로 늘려 줄 것으로 기대된다. 이밖에 전원을 넣자마자 바로 작동시킬 수 있는 PC를 만들 수도 있게 된다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>