IR코리아, 전류 밀도가 배가된 신형 HEXFET MOSFET 출시

　인터내셔날렉티파이어(IR)코리아(대표 박흥식)는 전류밀도가 배가된 신형 150V 및 200V 정격 고전류 HEX FET 전력 MOS FET 신제품(모델명 IRFBA90N20D, IRFP90N20D, IRFB61N15D)을 출시했다고 22일 밝혔다.

　이 제품들은 기존 제품과 동일한 면적을 차지하면서도 2배나 많은 전류를 전달하며 절반 수준의 동작저항과 25도의 낮은 동작온도를 실현했다.

　특히 슈퍼220 패키지로 제작된 IRFBA90N20D는 확장 리드프레임을 가지고 있어 표준 TO-220과 동일한 크기로도 94A까지의 전류를 전달한다.

　최신 광대역 네트워킹 장비의 전원공급용 48V DC-DC 컨버터에 사용될 이 제품들의 가격은 1만개 단위 구입시 1.21달러(모델명 IRFB61N15D), 3.25달러(모델명 IRFBA90N20D), 3.39달러(모델명 IRFP90N20D)로 책정됐다.

　<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>