동부전자, 0.18㎛ 저전압 CMOS 공정기술 품질인증

　동부전자(대표 한신혁 http://www.dsemi.com)는 최첨단 비메모리반도체를 생산할 수 있는 0.18㎛급 저전압용(1.5V) 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정기술에 대한 품질인증을 완료했다고 15일 밝혔다.

　지난 8월 도시바로부터 0.25㎛급 혼합신호(mixed-signal) CMOS 제조공정의 품질인증을 획득한 동부전자는 이번 품질테스트를 우수한 성적으로 통과함으로써 높은 기술수준과 공정라인의 우수성을 다시한번 대내외적으로 인정받게 됐다.

　또 다음달 중 도시바로부터 0.18㎛ 혼합신호 공정기술 품질인증을 획득하고 내년 상반기안으로 0.13㎛급 공정기술의 품질인증도 완료할 계획이다.

　동부전자는 이번 공정기술을 이용해 다음달부터 이스라엘 타워세미컨덕터 등 고객사들에 0.18㎛급 비메모리반도체를 공급할 계획이다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>