<한국반도체산업대전2001>미리 본 세미나:300㎜ 웨이퍼시대의 반도체 기술

　◇삼성전자 한재현씨 외 5명

　300㎜ 웨이퍼 시대의 반도체기술 세미나는 전시회 첫날인 12일 서울무역전시장 1층 제2전시관에서 열린다.

　반도체장비기술교육센터(SETEC)과 한국반도체산업협회(KSIA) 주최로 열리는 이 세미나에는 삼성전자·하이닉스반도체에서 근무하는 공정 전문가들이 300㎜ 공정기술 및 향후 전망에 대해 주제발표를 한다.

　300㎜ 공정은 소자업체들의 생산성 증대 및 원가절감의 중대과제라는 점에서 내년부터는 본격 도입될 전망이다. 비록 올해 반도체 경기가 침체되면서 소자업체들이 300㎜ 공정에 대한 투자를 내년으로 미루고 있으나 공정의 중요성 때문에 이번 세미나 주제 중 가장 큰 관심을 모을 것으로 기대된다.

　세미나는 300㎜ 웨이퍼 시대를 위한 클리닝 방법에 대한 발표를 시작으로 300㎜ D램 제조공정에서의 CVD 공정기술, 300㎜ 시대의 PVD 기술동향, 드라이 에치 기술동향 및 향후전망, 300㎜ 양산의 CMP 공정 및 설비소개, Cu/low-k 배선 공정기술 등 총 5개 분야에 걸쳐 소개될 예정이다.

　세미나 세부내용을 보면 하이닉스반도체가 300㎜ 웨이퍼 클리닝 방법, PVD 기술동향, 드라이 에치의 기술동향, 배선공정 기술동향에 대해 소개한다.

　삼성전자는 300㎜ D램 공정에서의 CVD 공정기술과 300㎜ 양산 CMP 공정 및 설비 등을 소개할 예정이다.

　하이닉스반도체는 칩 생산단가를 낮추기 위한 방법으로 미세공정 적용은 한계가 있다며 300㎜ 공정도입이 생산성 증가측면에서 효율적인 수단이 될 것으로 평가하고 200㎜와 300㎜ 웨이퍼 클리닝 시스템의 기능을 집중 분석, 소개한다.

　삼성전자는 CVD와 관련해 300㎜에 적용 가능한 PE CVD, 고밀도플라즈마(HDP) CVD, BPSG, W플러그, CVD TiN, SOG(Spin On Glass) 등의 특성을 분석하고 장단점을 소개한다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>