에피웨이퍼 생산기술 개발

　광전부품 제조의 기본 소재인 에피웨이퍼 생산 기술이 국내 벤처기업에 의해 국산화됐다.

　옵토웨이퍼테크(대표 김영상)는 50억원을 투자, 적외선 발광소자용 에피웨이퍼 생산을 위한 핵심 원재료인 3인치 갈륨아세나이드(GaAs) 기판의 국산화에 성공, 월 1만장 규모의 양산체제를 구축했다고 3일 밝혔다.

　옵토웨이퍼테크는 기판제조 전단계인 싱글 크리스털 인고트(ingot) 성장 기술을 비롯해 발광다이오드(LED), 레이저다이오드(LD) 등의 발광소자와 포토다이오드(PD) 등의 수광소자를 포함한 광전부품에 들어가는 핵심 원재료의 공정 및 장비 등도 개발해 일관체제를 갖췄다.

　특히 옵토웨이퍼테크의 인고트 성장 기술은 기존의 HB(Horizontal Bridgman)법을 개량, 기존 방식의 2배에서 최대 4배까지 길이를 늘림으로써 획기적인 원가절감이 가능한 동시에 기존 ㎠당 2000개에 달하는 EPD(Etch Pit Density)값이 421개/㎠에 그친다.

　옵토웨이퍼테크 김창주 이사는 “일본의 스미토모전기·쇼와전기 등 몇몇 업체만이 독점적으로 가지고 있는 이 기술을 확보함으로써 에피웨이퍼 생산 관련 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 기대한다”며 “현재 세계 3위인 시장 점유율을 더욱 높여 300억원 이상의 매출을 확보할 방침”이라고 말했다.

　<김용석기자 yskim@etnews.co.kr>