삼성전자,16M DDR S램 개발

　삼성전자(대표 윤종용)는 동작 주파수 400㎒(데이터레이트 800Mbps)인 16M 더블데이터레이트(DDR) S램<사진>을 개발, 서버 및 워크스테이션용 초고속 S램 메모리시장 공략에 들어갔다고 23일 밝혔다.

　초고속 DDR S램은 세계적으로 3개사 정도만 만들 수 있을 정도로 고도의 기술력을 필요로 하며 동급 용량의 저전력 S램 반도체에 비해 10배 이상 비싸면서도 가격 변동은 적은 고부가가치 제품이다.

　삼성전자는 이 제품의 개발로 휴대기기용과 네트워크용 그리고 이번에 서버 및 워크스테이션용에 이르는 S램 전 제품의 생산 능력을 보유해 1위 업체로서의 위상을 한층 높였다.

　삼성전자는 기존의 메모리가 아닌 0.18미크론급 CPU 공정기술을 적용해 데이터 처리속도를 크게 향상시켰으며 첨단 FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array) 패키지 기술을 적용했다.

　이 제품은 16M의 대용량과 최대 주파수 400㎒의 고속 데이터 처리 능력을 동시에 갖췄으며 200㎒ 이상의 데이터를 송수신하는 고속 통신규격인 ‘HSTL(High Speed TTL Logic)’을 지원한다. 동작 전압도 2.5∼1.8V로 기존 제품에 비해 낮다.

　삼성전자는 이 제품을 올 4분기부터 양산해 미국 서버 및 워크스테이션 업체에 공급하며 2004년께 16M 초고속 DDR S램 세계시장의 약 27%를 점유할 계획이다.

　<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>