삼성전자 128M 저전력 플래시메모리 출시

　삼성전자 (대표 윤종용)는 1.8V 저전력의 128M 데이터저장(NAND)형 플래시메모리 제품 개발에 성공, 이달 말부터 본격적인 양산에 들어간다고 14일 밝혔다. 　

　이 제품은 국제반도체표준협회(JEDEC)의 저전력 플래시메모리 기준전압 (1.65∼1.95V)을 만족, 2.7∼5.5V 수준이던 기존 제품의 전력소비를 크게 낮춘 것으로 개인휴대단말기(PDA), 디지털캠코더, MP3 세트톱박스 등 각종 휴대형 디지털기기에 탑가 용이하도록 칩스케일패키지(CSP) 형태로 설계된 것이 특징이다. 　

　특히 이번 제품은 랜덤 액세스 기능이 느린 기존 NAND형 플래시메모리의 단점을 보완하기 위해 D램으로 대치하는 구조를 적용함으로써 코드저장(NOR)형 플래시메모리 보다 삭제시 63배, 기록시 17배나 빠르게 작동하도록 개선했다. 　

　이에 따라 이 제품을 D램과 연계해 사용하면 기존에 사용되던 고가의 NOR형 플래시메모리 대비 50% 이상 가격을 낮출 수 있어 이 시장을 급속히 대체할 수 있을 것으로 기대된다. 　

　삼성전자 플래시메모리 개발팀장 신윤승 전무는 “이번 저전압 플래시메모리 제품은 낮은 가격에 D램을 연계한 구조를 바탕으로 휴대형 디지털 정보기기의 NOR형 플래시메모리 시장을 NAND형 플래시메모리 제품으로 전환시키는 신호탄이 될 것”이라고 설명했다. 　

　삼성전자는 현재 전세계 NAND형 플래시메모리 시장의 약 35%를 점유하고 있으며 3분기에는 256Mb 제품의 양산도 시작할 계획이다.

　 <정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>