IR, 신형 전력 MOSFET 개발

전력용 반도체 전문회사인 인터내셔날렉티파이어코리아(IR코리아·대표 박흥식)는 미국 본사에서 신형 20V HEXFET 전력 MOSFET(IRF3711·IRF3704)를 선보였다고 14일 밝혔다.

펜티엄4와 애슬론 등 차세대 ㎓급 마이크로프로세서에 쓰이는 다중 위상 벅 컨버터 용으로 설계된 이 제품을 사용하면 12V 입력 DC-DC 컨버터에서 기존 30V MOSFET와 비교해 최고 4%까지 효율이 향상된다.

또 컨버터의 주파수를 높여줌으로써 고성능 프로세서의 급격한 전력량 변화에도 대응할 수 있고 여러 표면실장(SMD)과 스루홀(through hole)패키지로 출시돼 회로 설계와 레이아웃 조건에 따라 설계자들에게 다양한 옵션을 제공한다.

<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>