<세계 반도체시장 이슈진단>6회/끝-차세대 메모리, 시스템온칩, 블루투스

강유전체메모리(Fe램), 마그네틱(M)램 등의 차세대 메모리와 각종 시스템온칩(SoC), 근거리 무선통신인 블루투스(Bluetooth) 등이 올해부터 상용화에 접어드는 등 기술 및 제품 개발이 활기를 띨 전망이다.

업계는 이들 제품이 올해 보여주는 시장 잠재력에 따라 미래 반도체 기술 및 시장의 향방도 달라질 수 있다고 보고 비상한 관심을 보이고 있다.

◇ 차세대 메모리＝차세대 메모리 가운데 올해 상용화 가능성이 높은 제품은 Fe램이다.

Fe램은 D램의 대용량 저장기능과 S램의 빠른 데이터 처리속도, 플래시 메모리의 데이터 보존기능 등 각종 메모리 반도체의 장점을 갖고 있어 기존 메모리 제품들을 대체할 것으로 기대된다. PC는 물론 이동통신단말기, 디지털 가전 등에 두루 쓰인다.

8년 전부터 Fe램을 개발해온 삼성전자는 세계 최초로 4M비트 Fe램을 개발한 데 이어 32M비트 이상 제품 상용화에 박차를 가하고 있다. 현대전자도 지난 97년부터 Fe램 기술 개발에 착수, 지난해 초 64256K비트 제품을 개발한 데 이어 0.35미크론(1㎛은 100만분의 1m) 공정을 적용한 1M비트 제품 개발과 상용화를 추진중이다. 해외에서는 도시바·인피니온테크놀로지·NEC 등이 Fe램 개발에 열을 올리고 있다.

M램은 데이터를 읽는 시간이 2.3나노초(1㎱는 10억분의 1초)로 현 플래시 메모리보다 1000배, Fe램보다 20배 빠르다.

상용화 시점은 2004년께이나 올해부터 모토로라·IBM과 독일의 인피니온 등 업체간 개발경쟁이 가열될 것으로 보인다.

◇ SoC＝SoC의 관건은 공정기술의 미세화에 있다.

명실상부한 SoC를 구현하려면 0.13∼01미크론 이하의 공정기술이 필요하기 때문이다.

삼성전자·인텔·ST마이크로 등 주요업체들이 올해 신규투자하는 공장에 0.13미크론 기술을 적용하기로 한 것도 SoC에 대비하기 위한 것.

삼성전자는 현재 조성중인 반도체 제11공장(FAB)에 0.13미크론 공정을 도입할 예정이며 이보다 한발 나아가 제12공장에 0.1미크론을 적용한 300㎜ 웨이퍼 양산라인을 계획하고 있다.

매출 기준 세계 반도체 1위 업체인 인텔도 신규설립 예정인 애리조나 공장에 0.1미크론 기술을 적용한다는 계획이다.

유럽계 반도체업체인 ST마이크로일렉트로닉스도 일본 히타치와 합작해서 300㎜ 웨이퍼를 건설한다고 발표했지만 자체적으로도 300㎜ 공장을 이탈리아, 프랑스, 미국 애리조나 가운데 설립할 것을 강력하게 검토중이다.

SoC의 분야로는 마이크로전자기계시스템(MEMS)과 스마트카드 분야가 있으며 올해부터 본격적인 상용화가 이뤄질 전망이다.

ST·모토로라 등은 MEMS를 이용한 초기단계 제품을 내놓고 있으며 올해에는 고주파(RF) 등으로 응용범위를 넓혀 한층 대중화할 전망이다.

전화카드 형태로 나타나기 시작한 스마트카드는 이제 보안기능이 첨가된 SoC의 형태를 띤다.

특히 통신 및 전자상거래 보안과 관련한 표준(ISO/IEC 15408)이 지난해 제정돼 올해부터 상용화 열기가 고조될 것으로 보인다.

◇ 블루투스＝애초 2004년께 시장이 형성될 것으로 예상되던 블루투스는 최근 업체들의 활발한 개발과 컨소시엄 증가로 시장형성 시점이 크게 앞당겨질 전망이다. 특히 이동통신단말기용으로 상용화가 활발해 에릭슨이나 LG전자와 같은 업체들이 올해 블루투스를 탑재한 제품을 선보일 예정이다.

블루투스 칩시장에서는 영국의 CSR를 선두로 커넥선트시스템스와 ST마이크로일렉트로닉스 등이 맹추격하는 양상을 띠고 있다.

국내에서도 대기업과 중소 벤처 부품업체들이 블루투스 칩 솔루션을 앞다퉈 개발중이다.

<김인구기자 clark＠etnews.co.kr>